近紅外加熱爐

    近紅外加熱爐是華測公司通過多年研究開發(fā)了一種可實現(xiàn)高精度，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置，在高速加熱高速冷卻時，具有良好的溫度分布?？蓪崿F(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱式樣，無氣氛污染?？稍诟哒婵眨叱黾兌葰怏w中加熱。

一、近紅外加熱爐產(chǎn)品簡介

    目前高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實現(xiàn)溫度的高精度測量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實現(xiàn)高精度，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置，在高速加熱高速冷卻時，具有良好的溫度分布。可實現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱式樣，無氣氛污染?？稍诟哒婵眨叱黾兌葰怏w中加熱。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，溫度斜率爐，階段加熱爐。

    它提高了加熱試驗?zāi)芰?。同電阻爐和其他爐相比，紅外線反射爐節(jié)省了升溫時間和保持時間及自然冷卻到室溫所需時間，在試驗中也可改寫設(shè)定溫度值。節(jié)省時間并提高實驗速度。

    同高頻爐相比，不需特殊的安裝條件及對加熱試樣的要求。同電阻爐一樣安裝簡單，有冷卻系統(tǒng)an全可靠。以提高試驗人員的工作效率，實現(xiàn)溫度控制操作！

二、產(chǎn)品特點

溫度控制器

    溫度控制器采用先進(jìn)移相觸發(fā)技術(shù)、控制近紅外爐按設(shè)定的升溫速度進(jìn)行升溫和降溫?？赏ㄟ^上位機(jī)進(jìn)行不同的升溫速率進(jìn)行設(shè)定。

制冷循環(huán)機(jī)

    為實現(xiàn)爐體快速降溫以及提高試驗效率高溫爐配置制冷水循環(huán)系統(tǒng)，同時增設(shè)氣體冷卻裝置，可實現(xiàn)快速冷卻。

三、產(chǎn)品優(yōu)勢及不同的組合

*高速加熱與冷卻方式

    高能量的紅外燈和鍍金反射方式允許高速加熱到高溫。同時爐體可配置水冷系統(tǒng)，增設(shè)氣體冷卻裝置，可實現(xiàn)快速冷卻。

*溫度高精度控制

    近紅外鍍金聚焦?fàn)t和溫度控制器的組合使用，可以精que控制樣品的溫度。此外，冷卻速度和保持在任何溫度下可提供高精度。

*不同環(huán)境下的加熱與冷卻

    加熱/冷卻可用真空、氣氛環(huán)境、低溫（高純度惰性氣體  靜態(tài)或流動），操作簡單，使用石英玻璃制成。紅外線可傳送到加熱/冷卻室。

四、反射爐溫度控制裝置原理

    高速升溫時，配套快速反應(yīng)的紅外線反射爐控制裝置，本控制裝置采用可編程溫度控制器。高性能緊湊設(shè)計，響應(yīng)速度快、溫控精度高。為了高速加熱、設(shè)備采用移相觸發(fā)技術(shù)保證試驗溫度；

根據(jù)設(shè)備上的溫度控制器輸入?yún)?shù)，您也可以簡單輸入溫度程序設(shè)定和外部信號。另外還可以在電腦上顯示加熱過程中的溫度實時數(shù)據(jù)；

    自適應(yīng)熱電偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型；?zui大可設(shè)定32個程序、256個步驟的程序；

    30A、60A、120A內(nèi)置了SCR電路，所以范圍很廣；

    250mmX50mmDX50mmH小巧尺寸。

五、近紅外加熱爐產(chǎn)品應(yīng)用

電子材料

半導(dǎo)體用硅化合化的PRA（加熱后急速冷卻）

熱源薄膜形成

激活離子注入后

硅化物的形成

陶瓷與無機(jī)材料

陶瓷基板退火爐

玻璃基板退火爐

陶瓷張力、撓曲試驗退火爐

鋼鐵和金屬材料

薄鋼板加熱過程的數(shù)值模擬

爐焊接模擬

高真空熱處理（1000℃以下）

大氣氣體熔化過程

壓力下耐火鋼和合金的熱循環(huán)試驗爐

復(fù)合材料

耐熱性評價爐

無機(jī)復(fù)合材料熱循環(huán)試驗爐

其它

高溫材料電性能試驗爐

分段分區(qū)控制爐

溫度梯度爐

爐氣分析

超導(dǎo)陶瓷退火爐

高溫拉伸壓縮試驗爐